柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响 |
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作者单位: | ;1.河北工业大学电子信息工程学院;2.天津市电子材料与器件重点实验室 |
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摘 要: | 针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光液,研究了柠檬酸钾含量对Cu、Co、TEOS去除速率及选择性的影响,并在钴阻挡层图形片上进行了平坦化验证。结果表明,柠檬酸钾能够有效地提高Cu、Co、TEOS三者的去除速率,当磨料为5%(质量分数),H_2O_2为5 m L/L,TT-LTK为0.5 m L/L,柠檬酸钾为30 mmol/L,p H=10时,铜、钴、TEOS的去除速率分别达到216,530,493 ?/min。此时,Co与Cu和TEOS与Cu的去除速率选择比较高,可达V_(Cu)∶V_(Co)∶V_(TEOS)≈1∶2.45∶2.28,碟形坑和蚀坑的深度得到有效降低,铜钴晶圆表面粗糙度得到明显改善。
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关 键 词: | 化学机械抛光 铜 钴 TEOS 去除速率 柠檬酸钾 |
Effect of potassium citrate on the removal rate and selectivity of copper,cobalt and TEOS |
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