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| 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析 | |
| 作者姓名： | 程新红 杨文伟 宋朝瑞 俞跃辉 沈达升 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室,上海200050 [2]阿拉巴马州大学电气与计算机工程系,亨茨维尔25899,美国 |
| 摘 要： | 提出一种图形化SOILDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%,跨导平滑,开态I-V曲线没有翘曲现象,器件温度低100K左右,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容.沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应.此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力. |
| 关 键 词： | 图形化SOI LDMOS 浮体效应 自加热效应 |
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