| Si基GaN上的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 赵作明,江若琏,陈鹏,席冬娟,沈波,郑有炓. Si基GaN上的欧姆接触[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(4): 425-427 |
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| 作者姓名： | 赵作明 江若琏 陈鹏 席冬娟 沈波 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 ( 699870 0 1，696360 10，6980 60 0 6) |
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| 摘 要： | 研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触，对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的欧姆接触率７．５＊１０＾－３Ω．ｃｍ＾２，而Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触在６５０℃氮气气氛退火２０ｓ取得最好的欧姆接触８．４＊１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，而且Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ／ＧａＮ接触有较好的热稳定
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| 关 键 词： | 欧姆接触 硅基氮化镓 合金化 退火 热稳定性 |
| 修稿时间： | 2000-07-06 |
Ohmic contacts on Si-substrated GaN |
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| ZHAO Zuo-ming,JIANG Ruo-lian,CHEN Peng,XI dong-juan,SHEN Bo,ZHENG You-dou. Ohmic contacts on Si-substrated GaN[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(4): 425-427 |
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| Authors: | ZHAO Zuo-ming JIANG Ruo-lian CHEN Peng XI dong-juan SHEN Bo ZHENG You-dou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si GaN Ohmic contact Al Ti/Al/Pt/Au |
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