| ~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究 |
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| 引用本文： | 夏日源,谭春雨,杨洪,胡燮荣,陈立信,王宜华,孙秀芳,郑宗爽,章其初,朱沛然,刘家瑞. ~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究[J]. 半导体学报, 1988, 9(1): 74-81 |
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| 作者姓名： | 夏日源 谭春雨 杨洪 胡燮荣 陈立信 王宜华 孙秀芳 郑宗爽 章其初 朱沛然 刘家瑞 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学光学系，山东大学计算机科学系，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所 济南，济南，济南 |
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| 摘 要： | 采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.
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| 关 键 词： | 氟离子注入 Pb_(1-x)Sn_xTe CdTe Si 共振核反应 去卷积计算 深度分布 |
Studies of Depth Profiles of Fluorine in ~(19)F~+ Ion Implanted Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe and Si |
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