压接型IGBT器件绝缘研究:问题与方法 |
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作者姓名: | 付鹏宇 赵志斌 崔翔 |
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作者单位: | 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室 |
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摘 要: | 按绝缘失效模式,将压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的绝缘问题分为漏电和放电问题。借鉴电力电子学科研究范式,提出从绝缘测试、物理分析和可靠设计3个维度进行压接型IGBT器件绝缘研究的方法。同时,分别从这3个维度对压接型IGBT器件绝缘研究现状进行分析。最后,根据绝缘测试要求和物理分析参数,给出压接型IGBT器件绝缘优值,为压接型IGBT器件绝缘可靠设计提供了量化指标。
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