基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法 |
| |
引用本文: | 李辉,廖兴林,肖洪伟,姚然,黄樟坚.基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法[J].电工技术学报,2018(5). |
| |
作者姓名: | 李辉 廖兴林 肖洪伟 姚然 黄樟坚 |
| |
作者单位: | 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学); |
| |
摘 要: | 针对碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)直流固态断路器关断速度快、关断初期易产生较大电压尖峰及振荡问题,提出一种抑制方法。首先,建立SiC MOSFET等效电路模型,分析其不同寄生电感对固态断路器关断初期电压波形的影响。其次,利用不同电压等级金属氧化物压敏电阻(MOV)吸收能量不同的思想,提出并联MOV作为缓冲电路来抑制断路器关断初期电压尖峰的方法,在分析其工作原理和抑制效果的基础上,提出了选择缓冲MOV额定电压的依据。最后,搭建了基于SiC MOSFET直流断路器实验平台,对不同寄生电感、不同器件下的开断特性进行了比较,并对所提方法的有效性进行了验证。结果表明,相比Si IGBT固态断路器,SiC MOSFET固态断路器具有更为严重的电压尖峰和振荡问题,且随着寄生电感的增加越来越严重,所提出的方法可有效抑制其电压尖峰并减弱振荡。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|