| GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现 |
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| 引用本文： | 李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平.GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现[J].固体电子学研究与进展,1990(1). |
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| 作者姓名： | 李拂晓 林金庭 毛昆纯 余志平 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所，清华大学 北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | <正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.
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