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| 亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟 | |
| 引用本文： | 刘弋波,刘恩峰,刘晓彦,韩汝琦. 亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟[J]. 半导体学报, 2003, 24(z1): 144-147 |
| 作者姓名： | 刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000356; |
| 摘 要： | 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应. |
| 关 键 词： | 流体动力学 双栅MOSFET 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)0-0144-04 |
| 修稿时间： | 2002-09-16 |
Hydrodynamic Simulation of Sub 50nm Double Gate MOSFET |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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