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| a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计 | |
| 引用本文： | 刘金娥,廖燕平,荆海,张志伟,付国柱,邵喜斌.a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计[J].液晶与显示,2006,21(5):491-496. |
| 作者姓名： | 刘金娥 廖燕平 荆海 张志伟 付国柱 邵喜斌 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039 2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林,长春,130033 3. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 分析了a—Si：H—TFT阈值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点，并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现驱动OLED电流稳定的目的。 |
| 关 键 词： | 阈值电压漂移 电荷注入 亚稳态 补偿方法 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)05-0491-06 |
| 修稿时间： | 2005年12月18 |
Mechanisms for a-Si:H-TFT Threshold Voltage Shift and its Compensative Design in Driving OLED Displays |
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| LIU Jin-e,LIAO Yan-ping,JING Hai,ZHANG Zhi-wei,FU Guo-zhu,SHAO Xi-bin.Mechanisms for a-Si:H-TFT Threshold Voltage Shift and its Compensative Design in Driving OLED Displays[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(5):491-496. | |
| Authors: | LIU Jin-e LIAO Yan-ping JING Hai ZHANG Zhi-wei FU Guo-zhu SHAO Xi-bin |
| Abstract: | |
| Keywords: | OLED a-Si:H-TFT |
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