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| 宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状 | |
| 引用本文： | 唐林江,万成安,张明华,李莹.宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状[J].军民两用技术与产品,2020(3):21-28. |
| 作者姓名： | 唐林江 万成安 张明华 李莹 |
| 作者单位： | 北京卫星制造厂有限公司 |
| 摘 要： | 正一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、金刚石等材料,其具有禁带宽度大、抗辐射能 |
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