| 纳米级精细线条图形的微细加工 |
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| 引用本文： | 任黎明,王文平,陈宝钦,周毅,黄如,张兴.纳米级精细线条图形的微细加工[J].半导体学报,2004,25(12):1722-1725. |
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| 作者姓名： | 任黎明 王文平 陈宝钦 周毅 黄如 张兴 |
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| 作者单位： | 北京大学信息科学技术学院微电子学系 北京100871
(任黎明，王文平，周毅，黄如)，中国科学院微电子研究所 北京100029
(陈宝钦)，北京大学信息科学技术学院微电子学系 北京100871(张兴) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的ICP刻蚀技术进行了研究,形成一套以负性化学放大胶SAL-601为电子抗蚀剂的电子束光刻及ICP刻蚀的优化工艺参数,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的30nm精细线条图形.
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| 关 键 词： | 微细加工 电子束光刻 邻近效应校正 ICP刻蚀 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)12-1722-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月3日 |
Microfabrication of Nano-Scale Feature Lines |
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| Ren Liming,Wang Wenping,Chen Baoqin,Zhou Yi,Huang Ru and Zhang Xing.Microfabrication of Nano-Scale Feature Lines[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1722-1725. |
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| Authors: | Ren Liming Wang Wenping Chen Baoqin Zhou Yi Huang Ru and Zhang Xing |
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| Affiliation: | Ren Liming1,Wang Wenping1,Chen Baoqin2,Zhou Yi1,Huang Ru1 and Zhang Xing1 |
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| Abstract: | Electron-beam lithography with high resolution and ICP etching with high selectivity-ratio and high anisotropy are investigated.Using chemically amplified resist SAL-601 as the electron resist,optimal process parameters of electron-beam lithography and ICP etching are achieved.These parameters are combined with electron-beam proximity correction to form 30nm lines with clear-cut cross-sectional profiles. |
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| Keywords: | microfabrication electron-beam lithography proximity effect correction ICP etching |
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