1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器 |
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引用本文: | 徐玉峰,黄永清,黄辉,倪海桥,牛智川,任晓敏.1.3 μm InGaNAs/GaAs多量子阱"一镜斜置三镜腔"光探测器[J].光电子.激光,2009,20(1). |
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作者姓名: | 徐玉峰 黄永清 黄辉 倪海桥 牛智川 任晓敏 |
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作者单位: | 徐玉峰,黄永清,黄辉,任晓敏,XU Yu-feng,HUANG Yong-qing,HUANG Hui,REN Xiao-min(北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876);倪海桥,牛智川,NI Hai-qiao,NIU Zhi-chuan(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083)
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基金项目: | 国家重点基础研究发展规划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,国际科技合作重点项目,高等学校学科创新引智计划 |
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摘 要: | 报道了一种基于InGaNAs/CmAs多量子阱的1.3μm GaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AIAs分布布拉格反射镜(DBR)和InOaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器.探测器的峰值响应波长位于1298.4 nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0 nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10 13A/μm2.
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关 键 词: | 光探测器 多量子阱 |
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