| CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用 |
| |
| 引用本文： | 陈二柱,梁平治. CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用[J]. 半导体光电, 2005, 26(3): 219-222 |
| |
| 作者姓名： | 陈二柱 梁平治 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| |
| 摘 要： | 应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p p-n 结,对其正向电流-电压的温度特性进行了理论分析和实验研究.实验结果表明:横向多晶硅p p-n 结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27 ℃),恒定的正向偏置电流(1 μA)工作条件下,横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p p-n 结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计, 其黑体响应率Rbb(1 000 K,10 Hz)=4.3×103V/W.
|
| 关 键 词： | 横向多晶硅p+p-n+结 CMOS工艺 微测辐射热计 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)03-0219-04 |
| 修稿时间： | 2004-10-11 |
Temperature Characteristics and Application of Lateral Polysilicon p+p-n+Junction Fabricated using CMOS Technology |
| |
| CHEN Er-zhu,LIANG Ping-zhi. Temperature Characteristics and Application of Lateral Polysilicon p+p-n+Junction Fabricated using CMOS Technology[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(3): 219-222 |
| |
| Authors: | CHEN Er-zhu LIANG Ping-zhi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | lateral polysilicon p~+p~-n~+junction CMOS process microbolometer |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
