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| 低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究 | |
| 作者姓名： | 段家 张伯蕊 秦国刚 张国义 童玉珍 金泗轩 杨志坚 姚光庆 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｕｍ处，而有的样品却位于２６０与３００ｎｍ两个波长处，对这些结果进行了讨论． |
| 关 键 词： | 低压 MOVPE 外延生长 GaN膜 光致发光 激发谱 |
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