微波砷化镓场效应晶体管的信号和噪声性能(二)

A.引言 1.本征噪声源微波GaAsFET的噪声由两个方面引起:器件本征噪声源以及与寄生电阻相关的热噪声源。本征噪声起因于两个机构。其一是在“欧姆性”沟道区,即区域Ⅰ中产生的热噪声,或称约翰逊噪声(Johnson noise)。