| SiC纳米线的合成与表征 |
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| 引用本文： | 乔小晶, 李妍, 李旺昌, 任庆国. SiC纳米线的合成与表征[J]. 北京工业大学学报, 2013, 39(4): 599-603. |
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| 作者姓名： | 乔小晶 李妍 李旺昌 任庆国 |
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| 作者单位： | 1.北京理工大学 爆炸科学与技术国家重点实验室, 北京 100081 |
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| 摘 要： | 以葡萄糖、硅粉为原料,采用水热法与焙烧结合成功地制备出一维SiC-SiO2纳米线,与常规SiC纳米线的制备方法相比,该法焙烧温度低,操作简单.运用红外特征光谱、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)对其研究.结果表明:所制得的纳米线为SiC-SiO2复合的核-壳结构,SiC纳米线的外层均匀地包覆上了一薄层SiO2.纳米线长度几到几十微米不等,直径200 nm左右,球形纳米颗粒生长在纳米线上,这些球形颗粒为碳化硅和无定形硅氧化物.根据试验结果,分析了该方法制备SiC纳米线的生长机理为气-液-固反应.
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| 关 键 词： | 纳米线 碳化硅 葡萄糖 水热法 焙烧 |
| 收稿时间： | 2011-02-16 |
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