|
|||||
|
|
| GaAs衬底层选择性腐蚀技术 | |
| 引用本文： | 杨建义,王明华.GaAs衬底层选择性腐蚀技术[J].光电子．激光,1998,9(1):51-53. |
| 作者姓名： | 杨建义 王明华 |
| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系 |
| 摘 要： | 本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。 |
| 关 键 词： | 选择性腐蚀 砷化镓 衬底 |
Selective Etching of GaAs Substrate |
|
| Yang,Jianyi,Wang,Minghua,Jiang,Xiaoqing,Zhou,Qiang,Zhou,Weiqin,Sun,Yiling.Selective Etching of GaAs Substrate[J].Journal of Optoelectronics·laser,1998,9(1):51-53. | |
| Authors: | Yang Jianyi Wang Minghua Jiang Xiaoqing Zhou Qiang Zhou Weiqin Sun Yiling |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs/GaAlAs selective etching |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《光电子．激光》下载全文 | |