| GaAs衬底层选择性腐蚀技术 |
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| 引用本文： | 杨建义 王明华. GaAs衬底层选择性腐蚀技术[J]. 光电子．激光, 1998, 9(1): 51-53 |
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| 作者姓名： | 杨建义 王明华 |
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| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程学系 |
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| 摘 要： | 本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。
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| 关 键 词： | 选择性腐蚀 砷化镓 衬底 |
Selective Etching of GaAs Substrate |
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| Yang Jianyi Wang Minghua Jiang Xiaoqing Zhou Qiang Zhou Weiqin Sun Yiling. Selective Etching of GaAs Substrate[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 1998, 9(1): 51-53 |
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| Authors: | Yang Jianyi Wang Minghua Jiang Xiaoqing Zhou Qiang Zhou Weiqin Sun Yiling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/GaAlAs selective etching |
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