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| 用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层 | |
| 引用本文： | 张家慰,赵正平.用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层[J].半导体学报,1983,4(1):78-80. |
| 作者姓名： | 张家慰 赵正平 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 (张家慰)，南京工学院电子工程系(赵正平) |
| 摘 要： | <正> 一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义. 用椭偏仪测量50A|°以下的氧化层厚度,除了仪器的灵敏度外,尚需解决数据处理问题.在此厚度范围内椭偏参数ψ非常接近,因此不能像厚膜那样,依据ψ、△同时确定膜的折射率和厚度.我们的计算结果表明,在10A|°以内及在20A|°-50A|°范围内,由折射率 |
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