| 金属诱导晶化的实时电阻测量与监控 |
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| 引用本文： | 曾祥斌,孙小卫,李俊峰,齐国钧.金属诱导晶化的实时电阻测量与监控[J].功能材料,2004,35(Z1):1182-1185. |
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| 作者姓名： | 曾祥斌 孙小卫 李俊峰 齐国钧 |
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| 作者单位： | 曾祥斌（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;孙小卫（南洋理工大学,电气与电子工程学院,新加坡,639798）;李俊峰（南洋理工大学,电气与电子工程学院,新加坡,639798）;齐国钧（新加坡制造技术研究所,新加坡,639075） |
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| 摘 要： | 采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 实时电阻测量 薄膜晶体管 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1182-04 |
| 修稿时间： | 2004年4月12日 |
A novel monitoring method for metal induced lateral crystallization process of a-Si thin films |
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