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| 低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究 | |
| 引用本文： | 张丽伟,张松青,卢景霄,杨仕娥,文书堂,杨根,郭学军,李瑞.低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究[J].可再生能源,2006(6):10-12. |
| 作者姓名： | 张丽伟 张松青 卢景霄 杨仕娥 文书堂 杨根 郭学军 李瑞 |
| 作者单位： | 1. 郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000 2. 河南机电高等专科学校,河南,新乡,453002 3. 郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 利用等离子体增强（PECVD）法和快速热处理（RTP）法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸. |
| 关 键 词： | 硅薄膜 晶粒尺寸 再结晶 |
| 文章编号： | 1671-5292（2006）06-0010-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-23 |
| 修稿时间： | 2006年3月23日 |
Study on grain size of Silicon thin films fabricated at low temperature |
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| ZHANG Li-wei,Zhang Song-qing,LU Jing-xiao,Yang Shi-e,Wen Sbu-tang,Yang Gen,Guo Xue-jun,Li Rui.Study on grain size of Silicon thin films fabricated at low temperature[J].Renewable Energy,2006(6):10-12. | |
| Authors: | ZHANG Li-wei Zhang Song-qing LU Jing-xiao Yang Shi-e Wen Sbu-tang Yang Gen Guo Xue-jun Li Rui |
| Abstract: | Silicon thin films were fabricated respectively by PECVD and by RTP. The grain sizes of the resulting silicon thin films were studied by using XRD and Raman measurement. The results showed that there is a best value for various factors to enlarging grain size of silicon thin film. In general, the grains size fabricated in RTP is larger than that in PECVD. |
| Keywords: | silicon thin films grain size recrystallization |
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