| 氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究 |
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| 引用本文： | 陈克铭,仇兰华,陈维德.氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究[J].半导体学报,1983,4(1):37-46. |
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| 作者姓名： | 陈克铭 仇兰华 陈维德 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(陈克铭，仇兰华)，中国科学院半导体研究所(陈维德) |
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| 摘 要： | 本文用φ550 AES和 ESCA能谱仪与离子溅射相结合方法,研究阳极和SiO_2氧化膜与n型<100>晶向InGaAsP界面区的组分和各种氧化物的剖面分布.测量了氧化膜的参数.实验结果表明:采用合适的化学腐蚀和阳极氧化条件,可获得绝缘性较好及界面晶体缺陷和界面态密度较少的氧化膜.但在未经化学腐蚀的样品中组分及各种氧化物的深度分布是不均匀的,井可分为四个层.还给出不同层中 GaLMM,As3d,In3d和 P2p的结合能值,其中Ⅲ 族元素的母体效应比较显著.同样也可得到InGaAsP上SiO_2氧化膜的绝大部分区域是纯SiO_2,而化学腐蚀只能减少过渡区宽度和增大界面陡度,但在过渡区内仍存在Ga_2O_3,In_2O_3 和P_2O_3.
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