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Kink效应对低温CMOS读出电路的影响
引用本文:刘文永,冯琪,丁瑞军. Kink效应对低温CMOS读出电路的影响[J]. 激光与红外, 2007, 37(Z1)
作者姓名:刘文永  冯琪  丁瑞军
摘    要:在深低温下(T<50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds>4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系.本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性;对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性.最后,针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究,提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案.

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Impact of Kink Effect on CMOS Readout Circuits for Cryogenic Operation
LIU Wen-yong,FENG Qi,DING Rui-jun. Impact of Kink Effect on CMOS Readout Circuits for Cryogenic Operation[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(Z1)
Authors:LIU Wen-yong  FENG Qi  DING Rui-jun
Abstract:
Keywords:
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