| 溅射和硒化工艺对CIS薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 方玲,张弓,庄大明,赵方红,杨伟方,吴敏生. 溅射和硒化工艺对CIS薄膜性能的影响[J]. 太阳能学报, 2003, 0(Z1): 77-81 |
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| 作者姓名： | 方玲 张弓 庄大明 赵方红 杨伟方 吴敏生 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学机械工程系,北京,100084
2. 金洲集团,湖州,313000 |
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| 基金项目： | 清华大学机械工程学院985基础研究基金项目. |
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| 摘 要： | 采用中频交流磁控溅射方法在镀有Mo薄膜的玻璃衬底上沉积Cu-In薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、表面形貌及电学性能进行了表征和检测.测试结果表明,CIS薄膜中Cu和In的含量主要取决于Cu-In薄膜中Cu和In的成分配比.CIS薄膜的表面形貌取决于溅射沉积Cu-In薄膜的靶电流密度.硒化过程中基片温度和硒源温度对CIS薄膜中Se含量及薄膜的微观结构和电学性能影响很大.在适当的硒化工艺条件下,获得了性能优异的CIS薄膜.
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| 关 键 词： | 太阳电池 CIS薄膜 固态硒化 磁控溅射 |
| 文章编号： | 0254-0096(2003)增刊-0077-05 |
| 修稿时间： | 2002-08-20 |
EFFECTS OF PROCESSING VARIABLES OF SPUTTERING AND SELENIZATION ON THE PROPERTIES OF CIS FILM |
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