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| 193nm波长的光刻和光学制造 | |
| 引用本文： | 友清.193nm波长的光刻和光学制造[J].激光与光电子学进展,1997,34(10):25-28. |
| 作者姓名： | 友清 |
| 摘 要： | 光刻集成电路生产过程所用的照明波长推动着形状尺寸的变化，即波长越短，可使成像特征越小。为制作下一代计算机用的集成电路片，光刻系统也、须更深地向短波长、高能紫外光谱区移动。在该波长区，光学系统的设计和制作变得更困难。这种需要要求有更严格的系统设计法，必须仔细平衡吸收、散射、严密制造公差和运用寿命的关系。最小特征尺寸为0．18μm的一代集成电路片将用光到方法生产，也许是使用193nm波长的激光照明和用反射折射物镜，后者既包括反射元件，也包括折射元件。为支持这个波段的光致抗蚀剂显影，纽约州特洛帕尔公司的工程师… |
| 关 键 词： | 集成电路 光刻 光学制造 |
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