| 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,阎绍峰. 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2007, 13(6): 543-548 |
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| 作者姓名： | 廖国进 巴德纯 闻立时 刘斯明 阎绍峰 |
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| 作者单位： | 东北大学机械工程与自动化学院,沈阳,110004;辽宁工学院机械工程与自动化学院,锦州,121001;东北大学机械工程与自动化学院,沈阳,110004;中国科学院金属研究所表面工程部,沈阳,110016;北京航空航天大学机械工程与自动化学院,北京,100083;辽宁工学院机械工程与自动化学院,锦州,121001 |
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| 摘 要： | 应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为23sccm，氧流量为5sccm，室温下溅射时间为90min的条件下，通过控制薄膜中的Ce^3＋离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱（EDS）和光致发光测量，得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce^3＋浓度有强烈的依赖关系，并且分析了产生这种关系的原因；对发光激发谱分析表明，薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce^3＋。Al2O3：Ce^3＋发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域．
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| 关 键 词： | 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 Ce |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)06-0543-06 |
| 修稿时间： | 2006-10-23 |
Effect of Ce3+ concentration on luminescent properties of Al2O3:Ce3+ films by medium frequency reactive magnetron sputtering |
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| LIAO Guo-jin,BA De-chun,WEN Li-shi,LIU Si-ming,YAN Shao-feng. Effect of Ce3+ concentration on luminescent properties of Al2O3:Ce3+ films by medium frequency reactive magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2007, 13(6): 543-548 |
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| Authors: | LIAO Guo-jin BA De-chun WEN Li-shi LIU Si-ming YAN Shao-feng |
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