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| 基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计 | |
| 作者姓名： | 阮颖 朱武 张伟 |
| 作者单位： | 上海电力学院, 电子与信息工程学院, 上海 200090;上海电力学院, 电子与信息工程学院, 上海 200090;华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062 |
| 基金项目： | 上海市科技创新行动计划地方院校能力建设项目(10110502200);教育部科学技术研究重点项目(210072) |
| 摘 要： | 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN 802.11频段的低噪声放大器(LNA).采用了共射级的两级级联结构,发射极运用电感负反馈,有效地提高了增益和线性度.仿真结果表明,在5~6GHz工作频段内,小信号增益S21达20.5 dB,噪声系数NF低于2 dB,正向传输系数S11小于-19 dB和反向传输系数S22小于-18 dB,实现了较好的输入输出匹配. |
| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声系数 SiGe BiCMOS工艺 无线局域网 |
| 收稿时间： | 2013-03-20 |
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