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| 面向水平GAA内侧墙模块的干法Si0.7Ge0.3选择性刻蚀研究 | |
| 作者姓名： | 刘阳 李俊杰 吴次南 张青竹 王桂磊 周娜 高建峰 孔真真 韩江浩 罗彦娜 刘恩序 杨涛 李俊峰 殷华湘 罗军 王文武 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学大数据与信息工程学院;2. 中国科学院微电子研究所;3. 中国科学院大学集成电路学院 |
| 摘 要： | 针对环栅(Gate-All-Around,GAA) Si0.7Ge0.3的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题，本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备，采用CF4/O2/He混合气体进行Si0.7Ge0.3干法各向同性选择性刻蚀实验，探究了包括激励射频源(source radio frequency,SRF)功率、气压、刻蚀前侧壁清洗工艺等因素对刻蚀结果的影响与机制。研究结果表明，SRF对刻蚀深度的影响是存在线性区与准饱和区的，气压与刻蚀深度在实验区间内呈二次函数关系，稀释的氢氟酸(Diluted HF,DHF)与O3交替清洗相对单一的DHF清洗方案在界面钝化层的去除与刻蚀形貌的控制上有更优的表现。经工艺方案优化，最终获得良好的工艺结果：刻蚀精度达到了0.61 nm/s，最优粗糙度Rq为0.101 nm，刻蚀轮廓矩形度高(d/t～83.3... |
| 关 键 词： | Si0.7Ge0.3 空腔刻蚀 刻蚀精度 粗糙度 刻蚀形貌 |