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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
77K NMOSFET沟道热载流子注入效应
作者姓名:
刘卫东
李志坚
刘理天
魏同立
作者单位:
清华大学微电子学研究所,东南大学微电子中心
摘 要:
通过综合测试77K和295K下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及I-V特性的蜕变,研究了NMOSFET中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制.提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下NMOSFET热载流子增强蜕变的微观机制.
关 键 词:
NMOSFET
热载流子注入
蜕变
电子注入
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