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自由电子能带中的平均键能与费米能级
引用本文:李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏. 自由电子能带中的平均键能与费米能级[J]. 固体电子学研究与进展, 2002, 22(1): 1-4
作者姓名:李书平  王仁智  郑永梅  蔡淑惠  何国敏
作者单位:厦门大学物理学系,361005
基金项目:高校博士点基金 (95 3 840 9),福建省自然科学基金 (E990 0 0 5 )资助项目
摘    要:根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)的方法

关 键 词:费米能级  平均键能  异质结
文章编号:1000-3819(2002)01-001-04
修稿时间:2000-03-17

Average-bond-energy and Fermi Level on Free Electronic Band
LI Shuping WANG Renzhi ZHENG Yongmei CAI Shuhui HE Guomin. Average-bond-energy and Fermi Level on Free Electronic Band[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2002, 22(1): 1-4
Authors:LI Shuping WANG Renzhi ZHENG Yongmei CAI Shuhui HE Guomin
Abstract:Based on the free electronic band model, we study the relationship between average bond energy E m and Fermi level E F in face centered cubic (fcc) crystal, body centered cubic (bcc) crystal and hexagonal closed packed structure (hcp) crystal. It is concluded that the average bond energy E m is equivalent to the Fermi level E F on free electronic band. The results may help to understand the physical conception of average bond energy E m and also supply a method to calculate the Fermi level E F or Fermi radius k F by electronic band calculation for free electronic system.
Keywords:Fermi level  average bond energy  heterojunction
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