Ti掺杂β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算 |
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作者姓名: | 郭艳蕊 严慧羽 宋庆功 陈逸飞 郭松青 |
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作者单位: | 中国民航大学理学院,天津,300300 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费中国民航大学专项资助项目(3122014K004) |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2O3系统的电子结构和光学性质。计算结果表明,Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2O3系统的导电性。Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态,且费米面处自旋极化率接近100%。光学性质的计算结果显示,Ti掺杂β-Ga2O3是极具潜力的n型紫外透明的半导体。
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关 键 词: | 第一性原理 Ti掺杂β-Ga2O3 电子结构 光学性质 |
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