| 常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 邢 帅,刘钟馨,姜 宏,熊春荣. 常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究[J]. 材料导报, 2015, 29(8): 19-24. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005 |
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| 作者姓名： | 邢 帅 刘钟馨 姜 宏 熊春荣 |
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| 作者单位： | 海南大学海南省特种玻璃实验室,海口,570228 |
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| 摘 要： | 以C4H4SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征。XRD结果表明薄膜具有四方相金红石晶型结构,在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜;XPS结果表明元素Sb主要以Sb5+的形式掺杂于SnO2薄膜中。还讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响。结果表明,当Sb掺杂量为2%,基板温度为600℃,镀膜时间为4min时可制备出可见光透过率为75%、红外透过率仅为30%的薄膜,且此时薄膜方块电阻为38.4Ω/□。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 薄膜 掺杂量 基板温度 |
Performance of Sb-doped SnO2Thin Films Fabricated by Atmospheric Pressure CVD |
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| XING Shuai , LIU Zhongxin , JIANG Hong , XIONG Chunrong. Performance of Sb-doped SnO2Thin Films Fabricated by Atmospheric Pressure CVD[J]. Materials Review, 2015, 29(8): 19-24. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005 |
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| Authors: | XING Shuai LIU Zhongxin JIANG Hong XIONG Chunrong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical vapor deposition thin film doping amount substrate temperature |
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