| 一种Au-Si键合强度检测结构与试验 |
| |
| 引用本文： | 王翔,李婷,王玮,王颖,田大宇,张大成. 一种Au-Si键合强度检测结构与试验[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(7): 110-112 |
| |
| 作者姓名： | 王翔 李婷 王玮 王颖 田大宇 张大成 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子学系,北京,100871 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(973),合同号:G1999033108 |
| |
| 摘 要： | 设计了一种Au-Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测，可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度；采用同一结构尺寸，可以比较不同条件下键合强度的相对大小；此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au-Si键合强度，其数值高于硅片基体本身的强度。
|
| 关 键 词： | Au-Si键合 强度检测 共晶键合 芯片 金 硅 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0110-03 |
| 修稿时间： | 2003-05-15 |
The test structure and examination of Au-Si bonding intensity |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
