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基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术
引用本文:胥超,王敏,杨志.基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术[J].微纳电子技术,2024(5):168-173.
作者姓名:胥超  王敏  杨志
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
摘    要:针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1~8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。

关 键 词:微电子机械系统(MEMS)  微谐振器  品质因数  真空度  圆片级真空封装
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