| n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性 |
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| 引用本文： | 张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋 吕长志. n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性[J]. 半导体学报, 2007, 28(6): 984-988 |
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| 作者姓名： | 张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋 吕长志 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100021 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：2006AA03A112） |
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| 摘 要： | 研究了在高温工作环境下Ti／A1／Ni／Au（15nm／220nm／40nm／50nm）四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性，退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性；接触电阻率随测量温度的增加而增大，且增加幅度与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度越高，其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢；重掺杂样品的Ti／A1／Ni／Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性；当样品被施加500℃，1h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 接触电阻率 退火 高温 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）06-0984-05 |
| 修稿时间： | 2006-10-12 |
High Temperature Characteristics of Ti/AI/Ni/Au Multilayer Ohmic Contact to n-GaN |
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| Zhang Yuezong, Feng Shiwei, Zhang Gongchang, Wang Chengdong, and LU Changzhi. High Temperature Characteristics of Ti/AI/Ni/Au Multilayer Ohmic Contact to n-GaN[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(6): 984-988 |
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| Authors: | Zhang Yuezong Feng Shiwei Zhang Gongchang Wang Chengdong LU Changzhi |
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| Affiliation: | School of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ohmic contact specific contact resistivity annealing high temperature |
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