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| 具有500倍保护的单晶硅压力传感器 | |
| 引用本文： | Chris.,L 吴原.具有500倍保护的单晶硅压力传感器[J].电子器件,1990(2):54-54,47. |
| 作者姓名： | Chris. L 吴原 |
| 摘 要： | 具有单晶硅薄膜的标准压阻硅压力传感器通常在不到满量程10倍的压力下损坏,通过采用在薄膜正下方加上停止面,我们制造了具有500倍过量程保护的传感器.这些传感器完全由单晶硅采用硅键合技术形成.在低的压力下,芯片灵敏度高达3mv/m/psi,设计成在10psi时输出100mv的传感器在过压力达5000psi时仍不损坏,从而器件500倍过量程而无损坏. |
| 关 键 词： | 硅传感器 压力传感器 过量程 保护 |
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