| 原子层沉积技术及其在半导体中的应用 |
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| 引用本文： | 申灿,刘雄英,黄光周. 原子层沉积技术及其在半导体中的应用[J]. 真空, 2006, 43(4): 1-6 |
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| 作者姓名： | 申灿 刘雄英 黄光周 |
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| 作者单位： | 华南理工大学,电子与信息学院,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金;华南理工大学校科研和教改项目;广东省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 首先简述原子层沉积（ALD）技术的发展背景，通过分析ALD的互补性和自限制性等工艺基础，介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势，着重列举ALD在半导体互连技术、高k电介质等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺中存在的主要问题。
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| 关 键 词： | 原子层沉积 前驱体 半导体 |
| 文章编号： | 1002-0322（2006）04-0001-06 |
| 收稿时间： | 2005-12-08 |
| 修稿时间： | 2005-12-08 |
Atomic layer deposition and its applications in semiconductor |
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| SHEN Can,LIU Xiong-ying,HUANG Guang-zhou. Atomic layer deposition and its applications in semiconductor[J]. Vacuum(China), 2006, 43(4): 1-6 |
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| Authors: | SHEN Can LIU Xiong-ying HUANG Guang-zhou |
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| Affiliation: | College of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640,China |
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| Abstract: | The miniaturization of semiconductor devices accelerates the development of atomic layer deposition(ALD) technology.Reviews the advantages of ALD in uniformity and conformality by analyzing its complementarity and self-limitation.ALD has many potential applications in semiconductor such as interconnection,gate dielectric,capacitors etc.But,some problems are found to be solved in ALD technology at present. |
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| Keywords: | atomic layer deposition precursor semiconductor |
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