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退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响
引用本文:谷坤明,汤皎宁,李均钦,杨钦鹏,李翠华,YANG Qin-peng,LI Cui-Hua. 退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响[J]. 功能材料与器件学报, 2005, 11(3): 370-372
作者姓名:谷坤明  汤皎宁  李均钦  杨钦鹏  李翠华  YANG Qin-peng  LI Cui-Hua
作者单位:深圳大学理学院材料系,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060;深圳大学师范学院化生系,深圳,518060
基金项目:广东省自然科学基金(No.021286)和深圳市科技基金资助.
摘    要:采用sol-gel旋涂法在抛光硅〈111〉晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响。SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50~100nm,并显示出良好的C轴择优取向。

关 键 词:ZnO薄膜  溶胶-凝胶法  热处理
文章编号:1007-4252(2005)03-0370-03
收稿时间:2004-12-31
修稿时间:2005-03-14

Influence of heat-treatment temperature on ZnO thin film prepared by sol-gel method
GU Kun-ming,LUO Gui-qing,XU Jing-xing,TANG Jiao-ning,LI Jun-qin,YANG Qin-peng,LI Cui-Hua. Influence of heat-treatment temperature on ZnO thin film prepared by sol-gel method[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2005, 11(3): 370-372
Authors:GU Kun-ming  LUO Gui-qing  XU Jing-xing  TANG Jiao-ning  LI Jun-qin  YANG Qin-peng  LI Cui-Hua
Abstract:
Keywords:ZnO thin films   sol-gel   heat treatment
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