| In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合 |
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| 引用本文： | 周远明,舒承志,梅菲,刘凌云,徐进霞,王远,张冉.In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合[J].材料导报,2014(2):160-164. |
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| 作者姓名： | 周远明 舒承志 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 |
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| 作者单位： | 湖北工业大学电气与电子工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11304092);湖北省教育厅科学研究计划项目(Q20131404) |
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| 摘 要： | 利用k·p方法研究了In0.53Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律。随着栅电压Vg从-0.35V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11eV·m减小到0.19×10-11eV·m,零场自旋分裂能Δ0高达4.63meV。结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨道耦合强度,证明该结构是制备自旋场效应晶体管(SpinFET)的理想材料。
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| 关 键 词： | 自旋电子学 自旋场效应晶体管 量子阱 Rashba自旋-轨道耦合 |
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