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| 砷化镓离子注硅用不同退火方法退火后的光荧光特性研究 | |
| 引用本文： | 张丽珠,罗海云.砷化镓离子注硅用不同退火方法退火后的光荧光特性研究[J].半导体技术,1989(6):14-17. |
| 作者姓名： | 张丽珠 罗海云 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 (张丽珠，张伯蕊)，机电部十三所(罗海云) |
| 摘 要： | 本文对砷化镓离于注硅用SiO_2和Si_3N_4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因. |
| 关 键 词： | 砷化镓 离子注入 硅 退火 荧光光谱 |
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