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| 用MOS—C瞬态C—t特性求解少子寿命的几种方法 | |
| 作者姓名： | 王彦才 |
| 作者单位： | 八七八厂 |
| 摘 要： | 通过观测MOS电容由深耗尽到反型层的形成过程,可以测量少数载流子的寿命.其方法就是在MOS电容的栅极上加上足能使表面反型的阶梯电压.起初,多数载流子在半导体表面处于非平衡的深耗尽状态,随后,耗尽层内将产生电子空穴对.在电场的作用下,多于向体 |
| 关 键 词： | 载流子 MOS 寿命 c－t特性 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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