C波段大栅宽GaAs MESFET的研制

采用高质量的ＭＢＥ材料，成功地制作了单胞栅宽２０ｍｍ的芯片。用栅与ｎ＾＋凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长０．４５μｍ的ＴｉＰｔＡｕ栅，欧姆接触采用ＡｕＧｅＮｉ合金工艺，采用ＰＥＣＶＤ ＳｉＮ钝化，空气桥结构及芯片减薄Ｖｉａ－Ｈｏｌｅ工艺。经内匹配得到了单胞芯片３．７￣４．２ＧＨｚ下Ｐ。≥７．３Ｗ，Ｇｐ≥８ｄＢ，ηａｄｄ〉２５％；４胞合成器件Ｐ。≥２５Ｗ，Ｇｐ〉７ｄＢ，ηａｄｄ〉２５％的良好结果。