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分类号
杂志ISSN号
C波段大栅宽GaAs MESFET的研制
作者姓名:
李云
李岚
摘 要:
采用高质量的MBE材料,成功地制作了单胞栅宽20mm的芯片。用栅与n^+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长0.45μm的TiPtAu栅,欧姆接触采用AuGeNi合金工艺,采用PECVD SiN钝化,空气桥结构及芯片减薄Via-Hole工艺。经内匹配得到了单胞芯片3.7 ̄4.2GHz下P。≥7.3W,Gp≥8dB,ηadd〉25%;4胞合成器件P。≥25W,Gp〉7dB,ηadd〉25%的良好结果。
关 键 词:
MESFET
C波段
砷化镓
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