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| LC—4型700KeV高能离子注入机头部装置 | |
| 作者姓名： | 邓星茂 |
| 作者单位： | 机械电子工业部第48研究所 |
| 摘 要： | 一、概述离子注入技术是当代半导体器件的基础工艺。目前生产中用得最多的离子注入机的能量大都在200keV左右。对某些高水平的鬼子器件而言,这种中等能量的离子注入深度达不到工艺要求,一般都需要在注入后进行长时间的热处理,通过热扩散运动使注入的杂质达到工艺要求的深度。但是随着对半导体器件性能要求的提高和图形线宽的减小,这种注入加退火的工艺缺点日益严重。高能离子注入机由于能量高,对某种器件工艺来讲,单靠注入本身即可使注入离子的深度达到要求。这就可以省去或大大缩短热处理时间,使加工周期缩短,成本降 |
| 关 键 词： | 离子注入机 头部装置 LC－4型 |
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