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一个采用单管FET单元的8K随机取数存储片
引用本文:WilliamK.Hoffman ,范新弼.一个采用单管FET单元的8K随机取数存储片[J].计算机研究与发展,1974(5).
作者姓名:WilliamK.Hoffman  范新弼
摘    要:本文介绍一个8192单元、P 沟道、有全部功能的随机取数存储器(RAM)的设计,生产与测试。这里将讨论这种器件的一些新的性能。这些性能是;有反型层电容的单管单元;采用高速缓冲装置使得最快地传送数据。采用独特的字线系统的线路设计以获得最小的单元间距。也讨论了操作性能、功率和成品率。

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