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| 光伏InSb器件钝化膜电特性研究 | |
| 作者姓名： | 韩建忠 陈世达 |
| 作者单位： | 华北光电技术研究所(韩建忠)，华北光电技术研究所(陈世达) |
| 摘 要： | 本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜 |
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