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SU-8胶模去除技术
引用本文:崔峰,靖向萌,赵小林,丁桂甫,张卫平,陈文元.SU-8胶模去除技术[J].微细加工技术,2007(1):1-6.
作者姓名:崔峰  靖向萌  赵小林  丁桂甫  张卫平  陈文元
作者单位:上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工技术教育部重点实验室,上海,200030
基金项目:武器装备预研基金;国家自然科学基金
摘    要:对各种去胶技术的原理、优缺点及其适用场合进行了综述,并结合本实验室的电铸Ni结构去胶试验,对强碱熔盐浴氧化、强酸氧化等经济有效的去胶方法进行了有益发展。最后介绍了SU-8辅助去胶技术,如辅助剥离牺牲层技术、辅助电铸结构抵抗去胶剥落的桩基形成技术。提出了一种与多层互连电路微制造兼容的金属桩基形成技术,并采用强酸氧化去胶方法在制作有互联电路及薄膜电极的基片上成功地集成了200μm厚的Ni结构。

关 键 词:微机电系统  去胶  高深宽比  桩基
文章编号:1003-8213(2007)01-0001-06
修稿时间:2006年3月21日

Techniques for Remove of SU-8 Photoresist Mold
CUI Feng,JING Xiang-meng,ZHAO Xiao-lin,DING Gui-fu,ZHANG Wei-ping,CHEN Wen-yuan.Techniques for Remove of SU-8 Photoresist Mold[J].Microfabrication Technology,2007(1):1-6.
Authors:CUI Feng  JING Xiang-meng  ZHAO Xiao-lin  DING Gui-fu  ZHANG Wei-ping  CHEN Wen-yuan
Abstract:
Keywords:SU-8
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