|
|||||
|
|
| 复合电沉积的Taguchi设计 | |
| 引用本文： | 张景尧.复合电沉积的Taguchi设计[J].无锡轻工大学学报(食品与生物技术),1998,17(2):64-66. |
| 作者姓名： | 张景尧 |
| 摘 要： | 将Ｔａｇｕｃｈｉ试验方法用于Ｎｉ－Ｍｏ复合电沉积过渡，从而筛选出最佳工艺条件，在此最佳工艺条件下所得镀层的析氢过电位η１００仅为１６７．３ｍＶ。 |
| 关 键 词： | Taguchi法 复合镀 镍 钼 复合电沉积 电极 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |