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| Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响 | |
| 引用本文： | 陈光华,王印月,吴锦华,甘润今,张仿清.Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响[J].半导体学报,1980,1(3):187-191. |
| 作者姓名： | 陈光华 王印月 吴锦华 甘润今 张仿清 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 (陈光华，王印月，吴锦华，甘润今)，兰州大学物理系(张仿清) |
| 摘 要： | 本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ～T~(-1/4),作者从电子有效负相关能的变化解释了这种现象. |
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