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| UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管 | |
| 引用本文： | 王渭源,夏冠群,卢建国,詹千宝,杨新民,王文骐.UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管[J].半导体学报,1982,3(6):493-498. |
| 作者姓名： | 王渭源 夏冠群 卢建国 詹千宝 杨新民 王文骐 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (王渭源，夏冠群，卢建国，詹千宝，杨新民)，上海科技大学分部(王文骐) |
| 摘 要： | 本文报告的 UHF应用的低噪声 GaAs双栅金属肖特基势垒接触场效应晶体管,用 GaAs高阻衬底-n汽相外延材料,金属铝栅 1.5 ×300μm.器件封装用简化的环氧树脂粘结的陶瓷管壳.器件的工作参数为V(DS)～4V,V_(g_1s)～-2V,V_(g_2s)～0V,此时I_(DS)～6mA 1GHz 下NFmin 1.2dB(最佳0.8dB),G_a10dB,G_R45dB.场效应晶体管在UHF电视机和步话机上初步应用,性能良好. |
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