| GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究 |
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| 引用本文： | 关安民,李钧.GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究[J].微细加工技术,1993(3):23-27. |
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| 作者姓名： | 关安民 李钧 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所 上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院离子束开放实验室资助 |
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| 摘 要： | 本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~+和SiF~+的退火行为进行了讨论。
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| 关 键 词： | 离子注入 砷化镓 硅 氟化硅 |
INVESTIGATION OF LOW ENERGY Si~+ AND SiF~+ IMPLANTATION IN GaAs |
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| Guan Anmin,Li Jun,Shi Huajun,Xia Guangun,Shen Honglie,Jiang Bingyao,Zhu Nanchang,Chen Youshen.INVESTIGATION OF LOW ENERGY Si~+ AND SiF~+ IMPLANTATION IN GaAs[J].Microfabrication Technology,1993(3):23-27. |
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| Authors: | Guan Anmin Li Jun Shi Huajun Xia Guangun Shen Honglie Jiang Bingyao Zhu Nanchang Chen Youshen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low energy Si+ ion implantation GaAs super thin activated layer carrier depth profile |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
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